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分析师表示，三星，东芝和美光的3D NAND闪存芯片有望在2014-2015年间进入初期生产阶段，未来几年我们将看到其商业版本。3D NAND的成功将取决于具有闪存的新产品在市场上的采用，这将决定何时准备将其用于商业规模生产的中心舞台。
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