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INFINEON/英飞凌芯片系列 |
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汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合,我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始,到 10mm x 15mm 的尺寸,您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外,新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装,以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm,完善了满足这些特殊要求的产品组合,分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择,包括B保护, 崇敬极性保护, 线性电池充电器, 负载开关,直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.
AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛,包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统,并推动着自动化,电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域,在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且,所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
工业收发器
关键特性:
传输速率高达 2 Mbit/s
符合 ISO11898 标准
仅接收模式
支持故障条件
总线唤醒
符合 CAN FD 协议
核心优势:
低电流消耗
热保护
低功率模式
的 EMI 性能
待机/休眠模式
静电保护_浪涌电压保护:当今的消费电子设备中,静电保护(ESD)对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS(瞬变电压抑制)二极管,以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列,力求在超小型封装内,以竞争力的价格提供的保护性能,同时质量水平高,性能稳健。
静电保护_浪涌电压保护
EiceDRIVER™ 栅极驱动器,用于驱动MOSFETs,IGBTs,碳化硅MOSFET, 以及氮化镓HEMT
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此,我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器,适用于任何功率器件,和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能,包括快速短路保护(DESAT),有源米勒钳位,直通短路保护,故障报告,关断,过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件
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