STP7N80K5，ST意法场效应管原装供货

VNH5200ASTR性能特性：
汽车认证
输出电流:8安
3 V CMOS兼容输入
欠压关闭
过压箝位
热关机
交叉传导保护
电流和功率限制
非常低的待机功耗
防止土地流失和VCC流失
电流检测输出与电机电流成比例
输出受到接地短路和V短路保护抄送
包装:生态包®
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF36N60M6
STF38N65M5
STF3LN80K5
STF3N62K3
STF3NK100Z
STF3NK80Z
STF3NK90Z(046Y)
STF40N60M2
STF42N65M5
STF43N60DM2
STF45N65M5
STF46N60M6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP（数字信号处理）指令和存储器保护单元（MPU），从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器（512 KB 闪存和 128 KB SRAM）、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 （FSMC）（适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备）、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF13N60M2
STF13N65M2
STF13N80K5
STF13N95K3
STF13NK50Z
STF13NM60N
STF13NM60ND
STF140N6F7
STF14N80K5
STF14NM50N
STF15N65M5
STF15N80K5
STF15NM65N
STF16N65M5ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

STW70N65DM6
N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速产品相比，DM6具有非常低的恢复电荷（QRR）、恢复时间 （tRR）和R的出色改进DS（开启）单位面积，具有市场上有效的开关行为之一，适用于要求苛刻的桥式拓扑和 ZVS 移相转换器。
ST其他部分MOSFET场效应管型号：
FERD20M60SR
FERD20S100SB-TR
FERD20S100STS
FERD20U60DJFD-TR
FERD30M45CG-TR
FERD40L60CTS
IRF630
PD54008-E
PD85035STR-E
RF2L16180CB4
SCT1000N170
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STB47N50DM6AG
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
较低的RDS（开启）单位面积与上一代相比
低栅极电荷、输入电容和电阻
雪崩测试
的 dv/dt 性
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD12NF06LT4
STD13N60DM2
STD13N60M2
STD13N60M6
STD13NM60N
STD13NM60ND
STD140N6F7
STD15N50M2AG
STD15N60DM6
STD15NF10T4
STD15P6F6AG
STD16N50M2
STD16N60M6
STD16N65M2
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STD100N10F7
N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
处于市面上低的 RDS(on) 行列
出色的品质因数（FoM）
较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STD100N3LF3：
N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD1NK60-1
STD1NK60T4
STD1NK80ZT4
STD20NF06T4
STD20NF20
STD25N10F7
STD25NF10LA
STD25NF10LT4
STD25NF10T4
STD25NF20
STD26P3LLH6
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STFW2N105K5，N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-3PF封装
STFW45N65M5，N沟道650 V、0.067 Ohm典型值、35 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-3PF封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STF10NM60N
STF10P6F6
STF11N50M2
STF11N60DM2
STF11N60M2-EP
STF11N65M2
STF11N65M2(045Y)
STF11N65M5
STF11NM50N
STF11NM60ND
STF11NM65N
STF11NM80
STF12N120K5
STF12N50M2
STF12N65M2
STF12N65M5
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